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晶片小到「看不見」怎麼製造？一個微小缺陷就讓晶片報廢！蔡司如何替半導體找出真兇？

曲博科技教室 Dr. J Class · 2026-08-21 · 25 分鐘

https://www.youtube.com/watch?v=GXcaFp0RTXo
#AI#台積電#DUNE#EUV#半導體#GAAFET#ASML#Crossbeam Laser#FinFET#High NA#蔡司#3D X光
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影片總結

蔡司以EUV光學、High NA 0.55與3D X光檢測，支撐AI晶片先進製程與封裝良率

AI與高效能運算推升半導體市場，產值預估從2018年的4660億美元增至2030年的1.3兆美元，但FinFET、3奈米以下GAAFET及台積電CoWoS先進封裝也讓內部結構更難觀察。影片解析蔡司如何串起微影、光罩、晶圓量測、製程控制與失效分析：其EUV光學系統歷經30年研發，High NA由0.33提升至0.55，反射鏡以超過100層矽鉬薄膜打造，反射效率可達70%。此外，AIMS EUV可提升光罩檢測產能三倍，NLX以3D X光檢查封裝內部，DUNE控制晶圓翹曲，Crossbeam Laser則將截面分析時間由3小時10分鐘縮至1小時25分鐘，全面支援先進晶片製造與故障定位。

章節

  1. 0:00Opening｜蔡司ZEISS光學元件支撐ASML極紫外光設備
  2. 1:08AI晶片製造難度：先進製程與2030年1.3兆美元市場
  3. 2:43不可見結構的控制：FinFET、GAAFET與CoWoS封裝檢測
  4. 4:56ZEISS半導體製造布局：NA 0.55高數值孔徑EUV與70%反射率鏡面
  5. 8:03晶片藍圖與光罩：AIMS EUV支援High NA驗證並提升三倍產能
  6. 12:01缺陷預警與失效分析：NLX 3D X-ray、DUNE翹曲控制與RCA
  7. 15:08超越可見範圍（一）：ZEISS 3D X-ray、Crossbeam Laser與Gemini支援先進封裝
  8. 19:50超越可見範圍（二）：雷射FIB縮短至1小時25分與全方位品質保證

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