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晶片小到「看不見」怎麼製造？一個微小缺陷就讓晶片報廢！蔡司如何替半導體找出真兇？

曲博科技教室 Dr. J Class · 2026-08-21 · 25 min

https://www.youtube.com/watch?v=GXcaFp0RTXo
#Gemini#NLX#High-NA EUV#ZEISS#DUNE#GAAFET#MeRiT#ASML#CoWoS#Crossbeam Laser#EUV#AIMS
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Video summary

蔡司供應 ASML EUV 光學系統，也以 NLX、DUNE 和失效分析設備檢測先進封裝缺陷。

人工智慧與高效能運算推升晶片需求，半導體產值預估從 2018 年的 4660 億美元增至 2030 年的 1.3 兆美元；電晶體走向 GAAFET、晶片採用 CoWoS 等堆疊封裝，內部結構更難觀察。影片說明蔡司如何參與從微影、光罩到晶圓檢測與失效分析：蔡司為 ASML EUV 提供關鍵光學元件，High-NA 系統數值孔徑由 0.33 提升至 0.55，反射鏡可反射最高 70% EUV。光罩則可用 MeRiT 修復、AIMS 驗證，檢測產能提升三倍。面對封裝內部缺陷，NLX 以 3D X 光檢測堆疊結構，DUNE 控制晶圓翹曲；Crossbeam Laser 結合雷射與離子束，截面製作速度提升 200%。影片最後以 3D 成像、電子顯微鏡及品質量測，展示蔡司涵蓋半導體製造與分析的設備布局。

Chapters

  1. 0:00開場：蔡司提供 ASML EUV 設備的關鍵光學元件
  2. 1:08AI 晶片製造難度上升：產值預計 2030 年達 1.3 兆美元
  3. 2:43看不見的結構如何控制：3 奈米以下 GAAFET 與 CoWoS 檢測挑戰
  4. 4:56蔡司半導體技術：高 NA EUV 數值孔徑 0.55 與 150 噸真空量測系統
  5. 8:03EUV 光罩藍圖驗證：AIMS EUV 支援 High NA 且檢測產能提升三倍
  6. 12:01缺陷失效前檢測：NLX 查封裝 3D 缺陷、DUNE 校正晶圓翹曲
  7. 15:08超越可見範圍：Crossbeam Laser 截面速度提升 200%，Gemini 支援 5 奈米以下
  8. 19:50蔡司半導體檢測全流程：FIB 處理縮至 1 小時 25 分鐘，邀訪 SEMICON Taiwan 2026 展位

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